在SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來(lái)越高。如此會(huì)造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì)更加明顯。尤其在電源開(kāi)機(jī)的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì)達(dá)到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當(dāng)于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運(yùn)的是一般場(chǎng)效應(yīng)晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設(shè)計(jì)者并不需要增加額外的保護(hù)線(xiàn)路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。
1. 評(píng)估方式 : 單一脈沖 UIS(Unclamped Inductive Switching) 的安全工作范圍
一般評(píng)估場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)皆以單一脈沖 UIS 為基準(zhǔn)。如圖一所示。此方式簡(jiǎn)單的定義了幾個(gè)針對(duì)被測(cè)試組件的基本參數(shù)。例如在崩潰時(shí)間內(nèi)所流經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最大峰值電流 (IAS), 在 UIS 開(kāi)始前的起始接合面溫度 (Tj), 以及崩潰時(shí)所經(jīng)過(guò)的時(shí)間 tAV 。 將 IAS 及 tAV 所對(duì)應(yīng)出來(lái)的圖表曲線(xiàn)可提供使用者了解此組件針對(duì) UIS 的表現(xiàn)能力 , 而提供一個(gè)客觀(guān)且公正的衡量依據(jù)。
2. 2.過(guò)電壓產(chǎn)生的條件
在應(yīng)用上 , 過(guò)電壓產(chǎn)生的條件可分成下列兩種。 一種是超過(guò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最大額定電壓 , 但是并沒(méi)有造成崩潰現(xiàn)象發(fā)生。 此現(xiàn)象可以藉由計(jì)算場(chǎng)效應(yīng)晶體管接合面的溫度去判斷組件的操作能力。另外一種是指已達(dá)到崩潰的標(biāo)準(zhǔn) , 并且崩潰已經(jīng)發(fā)生 , 這個(gè)時(shí)候 UIS 的評(píng)估方式可提供分析此種現(xiàn)象的最佳工具。
3. 崩潰模式的分析
當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)入崩潰效應(yīng)時(shí) Drain 及 Source 電壓會(huì)被嵌制在其崩潰電壓 , 而電流會(huì)經(jīng)由寄生的二極管而產(chǎn)生逆向操作電流的現(xiàn)象。如圖二所示為一典型開(kāi)關(guān)式電源電路所量測(cè)到的崩潰現(xiàn)象。從圖中可看出 Drain 及 Source 的電壓 (CH3) 被箝制在 1KV 而且逆向電流 (CH4) 可清楚地被發(fā)現(xiàn)。
UIS 的評(píng)估方式是針對(duì)崩潰現(xiàn)象分析的一種很有用的方法。在圖三 UIS 安全工作區(qū)域中可區(qū)分為三大區(qū)域 (1) 大于 25 ° C 線(xiàn)或者是圖中靠右的區(qū)域 , (2) 低于 150 ° C 線(xiàn)或者是圖中靠左的區(qū)域 , (3) 介于 (1) 與 (2) 的區(qū)域。其中 (1) 可清楚地了解此組件工作超出額定工作范圍之外 (2) 則是位于額定工作范圍之內(nèi)。至于 (3) 的區(qū)域界定 我們需要得到此組件的起始 UIS 接合面溫度以決定其工作能力。稍后會(huì)在后面舉例說(shuō)明如何求出此接合面溫度。
UIS 的評(píng)估方式并不限于應(yīng)用在單一脈沖上 , 針對(duì)連續(xù)性脈沖的應(yīng)用上亦可藉由重疊定理 (Super-position) 來(lái)做分析。在連續(xù)性脈沖里 , 每一個(gè)脈沖皆可視為一個(gè)單一脈沖的 UIS 應(yīng)用 。通常最后一個(gè)連續(xù)脈沖的發(fā)生皆是接合面溫度最高的時(shí)候。而這時(shí)候也是條件最嚴(yán)苛的情況。假使我們可以證明場(chǎng)效應(yīng)晶體管最后一個(gè)連續(xù)脈沖的結(jié)果可以符合 UIS 的安全工作區(qū)域之內(nèi) , 那么之前所經(jīng)過(guò)的脈沖一定也在 UIS 的安全工作區(qū)域內(nèi)。因?yàn)橹暗慕雍厦鏈囟纫欢ū茸詈笠粋€(gè)連續(xù)脈沖的接合面溫度低。
4. 接合面溫度分析
一般而言 假使 Drain 及 Source 電壓超過(guò)規(guī)格書(shū)所載明的最大額定電壓稍大一些 , 此時(shí)要讓場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)生崩潰現(xiàn)象其實(shí)是不常發(fā)生的。圖四所表示的曲線(xiàn)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的額定最大工作電壓 (BVDSS) vs 接合面溫度 (Tj), 其特性的表示是以正溫度特性變化 。當(dāng)接合面溫度達(dá)到 120 ° C 時(shí) , BVDSS 可達(dá)到將近 990V 。由此可知 , 在更高的接合面溫度條件下 , 場(chǎng)效應(yīng)晶體管需要更高的 Drain 對(duì) Source 的電壓以達(dá)到崩潰效應(yīng)產(chǎn)生的必要條件。
但這里必須提醒一件事 , 圖四所標(biāo)示的 BVDSS 是基于 250uA 的 ID 電流為條件所定義。在實(shí)際崩潰發(fā)生時(shí) ID 電流遠(yuǎn)大于 uA 的范圍。 因此 , 所欲達(dá)到的崩潰電壓也會(huì)比上述圖四中所推導(dǎo)的電壓要來(lái)的大的多。
就實(shí)際的考量而言 , 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)際崩潰電壓一般是額定低電流崩潰電壓的 1.3 倍。以圖五為例 , 它所表示的是一個(gè)超過(guò)最大額定電壓但并未進(jìn)入崩潰現(xiàn)象的波形 , Drain-Source 的電壓已達(dá)到 668V > 600V 但并未嵌制于崩潰效應(yīng)。
但即使此不正常的峰值電壓并未觸發(fā)此組件崩潰 , 我們還是要去評(píng)估此場(chǎng)效應(yīng)晶體管的接合面溫度必須低于額定最大溫度以確保其信賴(lài)度及可靠度。在穩(wěn)態(tài)條件下 , 接合面溫度可由下式導(dǎo)出 :
Tj = PD x R θ jc + TC ---------- (1)
其中 Tj : 接合面溫度 TC : 外殼溫度 PD : 整體功率損耗 R θ jc : 穩(wěn)態(tài)條件下 接合面?zhèn)鲗?dǎo)至外殼的熱阻
大多數(shù)的應(yīng)用里 , 開(kāi)關(guān)式電源供應(yīng)線(xiàn)路皆把場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作開(kāi)關(guān)使用。 因此 , 當(dāng)一連串的脈沖開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí) , 其功率消耗及接合面溫度的變化是取決于峰值功率以及脈沖寬度的大小。 此時(shí)的瞬時(shí)熱阻可基于時(shí)間的變化導(dǎo)出如下式 :
Z θ jc(t) = r(t) x R θ jc ---------- (2)
其中 r(t) 代表一個(gè)散熱能力的參數(shù)。當(dāng)脈沖寬度非常短時(shí) , r(t) 也相對(duì)很小。但當(dāng)脈沖寬度很長(zhǎng)時(shí) , r(t) 會(huì)接近于 1, 此時(shí)瞬時(shí)的熱阻也會(huì)與穩(wěn)態(tài)時(shí)一樣高。圖六所示是 Fairchild Semiconductor 所提供的瞬時(shí)熱阻參數(shù)曲線(xiàn)圖。從此圖中 , 在瞬時(shí)條件下其接合面溫度可導(dǎo)出如下式 :
Tj = PD x Z θ jc(t) + TC ---------- (3)
舉例說(shuō)明 , 當(dāng)一個(gè) 2KW 的電源脈沖加至 FQA11N90 的脈沖時(shí)間為 1uS 時(shí) , 我們可依據(jù)圖六的曲線(xiàn)算出此脈沖功率對(duì)接合面所產(chǎn)生的溫升為
T = PD x Z θ jc(1uS) = 2000 x 1.49 x 10-3 » 3 ° C
此脈沖功率如此之大 , 但其所造成的上升溫度變化僅有 3 ° C 。但不要忘了 , 在規(guī)格書(shū)中所記載的額定消耗功率是以穩(wěn)態(tài)條件下去推導(dǎo)出來(lái)的。 在瞬時(shí)條件下 , 像如此的脈沖可以讓場(chǎng)效應(yīng)晶體管承受更大的功率損耗。
在上面的例子中 , 要在圖六里找出 1uS 的瞬時(shí)條件曲線(xiàn)是無(wú)法求出的。假使我們所得到的脈沖寬度太短而且超出此圖曲線(xiàn)范圍之外 , 我們已知單一脈沖的瞬時(shí)熱阻是與時(shí)間的均方根成正比。因此 Z θ jc(1uS) 可得到如下式 :
Z θ jc(1uS) = Z θ jc(10uS) x Ö 1uS/10uS = 4.72 x 10-3 x Ö 0.1 = 1.49 x 10-3
其中 Z θ jc(10uS) 可由圖六得知
上述的熱阻效應(yīng)是由方波的基礎(chǔ)所求得 , 那我們可不可以針對(duì)不同的波形或形狀而得到熱阻的效應(yīng)。然而可預(yù)知的 , 這需要非常復(fù)雜的計(jì)算及數(shù)學(xué)運(yùn)算以求出所要的結(jié)果 , 最好還是由近似法以求得所要的熱阻效應(yīng)。 圖七就舉了兩個(gè)例子以近似法來(lái)說(shuō)明 , 一個(gè)是三角波 , 另外一個(gè)是正弦波。
在導(dǎo)出的公式 (3) 中 , 它也可以被應(yīng)用在連續(xù)形式的脈沖當(dāng)中。公式 (3) 可被修改如下以求得其瞬時(shí)熱阻 :
Z θ jc(t) = [t1/t2 + (1-t1/t2) x r(t1+t2) + r(t1) – r(t2)] R θ jc = t1/t2 R θ jc(1uS) + (1-t1/t2) Z θ jc(t1+t2) + Z θ jc(t1) - Z θ jc(t2) ----- (4)
其中 t1 : 連續(xù)脈波的脈波寬度 t2 : 連續(xù)脈波的總合時(shí)間
公式 (4) 適合于無(wú)限脈沖波之情況。當(dāng)沖擊波是有限個(gè)數(shù)時(shí)，其 R θ jc(1uS) 應(yīng)由 Z θ jc(T) 替換下來(lái)，其中 T 是有限沖擊波持續(xù)的時(shí)間。
假設(shè)一種情況 , 當(dāng)一組開(kāi)關(guān)電源線(xiàn)路在做短路測(cè)試時(shí) , 其量測(cè)到的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的 Drain 及 Source 兩端電壓超過(guò)了其最大的額定電壓 , 而且持續(xù)了一段時(shí)間直到短路保護(hù)動(dòng)作。此條件下的參數(shù)如下 : FQA9N90C 為其場(chǎng)效應(yīng)晶體管 , 100nS tAV, 9.2uS 周期長(zhǎng)度以及 20mS 延遲時(shí)間。在此條件下 , 其瞬時(shí)的熱阻計(jì)算如下
Z θ jc(t) = 0.01 x Z θ jc(20mS) + (1-0.01) Z θ jc(9.3uS) + Z θ jc(100nS) - Z θ jc(9.2uS) = 0.00274 ° C/W
我們假設(shè)有 5KW 的功率消耗 此時(shí)會(huì)消耗在場(chǎng)效應(yīng)晶體管上 那么所得到的接合面溫度會(huì)上升如下
D T = 5000 x 0.00274 = 13.7 ° C
此 13.7 ° C 為崩潰時(shí)所產(chǎn)生的溫升變化 因此 設(shè)計(jì)者必須先計(jì)算出此場(chǎng)效應(yīng)晶體管得正常工作接合面溫度 然后再加上因崩潰效應(yīng)所上升的溫度 此溫度結(jié)果必須低于額定最大溫度 在加上一些安全余裕以達(dá)到可靠度及信賴(lài)度的要求。
5. 結(jié)論
設(shè)計(jì)者所經(jīng)常面臨到的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰應(yīng)用問(wèn)題 希望可以經(jīng)由上述崩潰效應(yīng)模式的分析以及接合面溫度的計(jì)算提供給設(shè)計(jì)者更好的分析工具。
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